載流子在波導層中的積累及雙光子吸收均造成了半導體激光器輸出功率的飽和，嚴重影響了激光器的性能。2014 年，德國 Ferdinand-Braun 研究所 Hasler 等［44］研究了一種極端雙不對稱(chēng)結構( EDAS) 激光器，該結構減輕了 P型波導層中載流子積累的影響，輸出功率較傳統結構的激光器得到了提高。2015 年，Yamagata 等［45］研究發(fā)現半導體激光器的功率飽和與有源區溫度、熱透鏡均有關(guān)系，通過(guò)減小激光器電壓、增大脊條寬度可實(shí)現激光器的大功率、高效率輸出。2018 年，俄羅斯圣彼得堡學(xué)術(shù)大學(xué)Zhukov 等［46］研發(fā)了一種耦合大光腔結構的邊發(fā)射量子阱激光器。這種結構的激光器可以抑制橫向模式的產(chǎn)生且具有較低的內部損耗，與傳統結構相比，其內部損耗低至 0. 4 cm－1，達到了最優(yōu)結果。2018 年，Wilkens 等［47］研究了 EDAS 激光器，發(fā)現該類(lèi)型激光器具有較好的光束質(zhì)量，且內損耗低、單模特性好，在波分復用系統中具有很好的應用。

縱向空間燒孔效應和腔長(cháng)有關(guān)，腔長(cháng)越長(cháng)，縱向空間燒孔效應越明顯。2012 年，Chen 等［48］ 設計了一種縱向圖案化的電接觸結構，有效緩解了激光器的縱向空間燒孔效應。2015 年，Yamagata 等［45］研究了 915 nm 的大功率非對稱(chēng)非耦合限制異質(zhì)結構( ADCH) 激光器。通過(guò)優(yōu)化有源區的限制因子以及 N 型波導層和 P 型波導層的比例，減小了4和 6 mm 長(cháng)腔結構的內部損耗，提高了激光器的輸出功率和光電轉換效率。2015 年，Demir 等［49］在長(cháng)腔器件中，采用開(kāi)腔結構來(lái)提高載流子密度和光子密度的均勻性，緩解了縱向空間燒孔效應，獲得了更高輸出功率和光電轉換效率的激光器。該研究還對比了標準腔結構和開(kāi)腔結構的半導體激光器［50］，與標準腔結構相比，開(kāi)腔結構激光器具有更均勻的縱向增益和腔內光強。因此，開(kāi)腔結構激光器具有較低的由線(xiàn)性和非線(xiàn)性效應引起的功率損失。